用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產(chǎn)型ALD;具備近100種膜層工藝。
應(yīng)用領(lǐng)域：
芯片封裝、半導(dǎo)體High-k介電層、納米涂層、3D涂層、鋰電池、催化劑、太陽能電池、5G通訊（SAW器件）、生物醫(yī)學(xué)仿生、熒光材料、OLED顯示、有機(jī)材料、電子電路、光學(xué)膜等，細(xì)分及對應(yīng)膜層如下：
-High-K介電材料(Al2O3,HfO2,ZrO2,PrAlO,Ta2O5,La2O3)
-導(dǎo)電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN)
-金屬互聯(lián)結(jié)構(gòu) (Cu WN,TaN,Ru,Ir)
-催化材料 (Pt,Ir,Fe,Co,TiO2,V2O5)
-納米結(jié)構(gòu) (All ALD Material)
-生物醫(yī)學(xué)涂層 (TiN,ZrN,TiAlN,AlTiN)
-金屬 (Ru,Pd,Ir,Pt,Rh,Co,Cu,Fe,Ni)
-壓電層 (ZnO,AlN,ZnS)
-透明電學(xué)導(dǎo)體 (ZnO:Al,ITO)
-紫外阻擋層 (ZnO,TiO2)
-光子晶體 (ZnO,ZnS:Mn,TiO2,Ta3N5)
-防反射濾光(Al2O3,ZnS,SnO2,Ta2O5)
-電致發(fā)光器件(SrS:Cu,ZnS:Mn,ZnS:Tb,SrS:Ce)
-工藝層如蝕刻柵欄、離子擴(kuò)散柵欄等 (Al2O3,ZrO2)
-光學(xué)應(yīng)用如太陽能電池、激光器、光學(xué)涂層、納米光子等 (AlTiO,SnO2,ZnO)
-傳感器 (SnO2,Ta2O5)
-磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3,ZrO2,WS2)
-OLED鈍化層 (Al2O3)
功能特點(diǎn)：
-采用熱法和等離子法制備原子層納米級薄膜
-一個循環(huán)周期小于2秒鐘
-可以沉積有機(jī)高分子材料，實(shí)現(xiàn)表面親疏水性
-可以在納米粉末或納米顆粒上沉積薄膜
-可以在三維、不規(guī)則體、帶有長深孔（深寬比2500：1）樣品上沉積薄膜
-可以沉積低飽和蒸汽壓材料
-可增加在線橢偏儀和QCM檢測
-可增加等離子體裝置
-可擴(kuò)展臭氧產(chǎn)生器
-可集成手套箱設(shè)備
-可增加Load-lock自動上下載片裝置
可沉積膜層：
氧化物 | 氮化物 | 硫化物 | 金屬/碲化物 |
聯(lián)系人：林經(jīng)理
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